کمپانی وسترن دیجیتال روز دوشنبه اعلام کرد تولید آزمایشی چیپ نند 3D جدیدی را در شهر یوکاچی ژاپن آغاز کرده است. این چیپ 3 بیت داده را در سلول‌های حافظه جای می‌دهد که در 64 لایه گسترده شده‌اند و ظرفیت 512 گیگابیت را ارائه می‌دهد. این چیپ‌های سه‌بعدی که نتیجه همکاری وسترن دیجیتال و توشیباست، اولین‌ها در نوع خود هستند. انتظار می‌رود چیپ‌های 3D در نیمه دوم سال 2017 به تولید انبوه برسند.
وسترن دیجیتال و توشیبا در ماه ژوئیه چیپ‌های نند سه‌بعدی 64 لایه را معرفی کردند. در این تکنولوژی که با نام "BiCS3" معرفی شد، نوع چینش سلول‌ها برخلاف نندهای 2D است که سلول‌ها در آن به‌صورت افقی قرار می‌گیرند. در نندهای سه‌بعدی، سلول‌ها در لایه‌ها و دسته‌هایی به‌صورت عمودی چیده می‌شوند. این موضوع باعث افزایش ظرفیت می‌شود چراکه نند 3D، به مرزهای فیزیکی چیپ مموری (die) محدود نیست.
به گفته توشیبا، با توجه به فناوری مداری و فرآیند تولید، تکنولوژی فلش BiCS، باعث کوچک شدن تراشه‌های حافظه می‌شود. فضاهای بین سلول‌های حافظه در این تکنولوژی، از محصولات نند 2D سنتی، بیشتر است که باعث افزایش سرعت نوشتن اطلاعات می‌شود. این فضاهای زیاد بین سلول‌ها، میزان تاثیر "نویز" هر سلول بر سلول همسایه‌اش را کاهش می‌دهد؛ بنابراین داده‌های ذخیره‌شده قابل‌اطمینان‌تر هستند.
نندهای سه‌بعدی 64 لایه که تابستان گذشته معرفی شدند، ظرفیت 256 گیگابیت در هر چیپ داشتند. مدل جدید دارای چگالی دو برابر است و این بدان معناست که ظرفیت محصولات با همان اندازه قبلی، دو برابر خواهد بود. جزئیات در مورد چگونگی افزایش تراکم توسط وسترن دیجیتال و توشیبا، در یک مقاله فنی در کنفرانس بین‌المللی Solid-State Circuits ارادئه خواهد شد.
توشیبا در ماه نوامبر اعلام کرد ساخت تاسیساتی در شهر یوکاچی را در ماه فوریه آغاز می‌کند تا ساخت محصولات فلش BiCS را توسعه دهد. این تاسیسات در دو فاز ساخته خواهند شد تا نمایانگر سرمایه‌گذاری‌های مالی توشیبا در این بازار باشند. فاز اول این تاسیسات تا تابستان 2018 تکمیل نخواهد شد.
توشیبا در مورد این تاسیسات گفته است: «کارخانه‌های جدید ساختار جذب زلزله و طراحی سازگار با محیط‌زیست دارند. سیستم روشنایی LED در سراسر ساختمان و آخرین تجهیزات تولید با قابلیت صرفه‌جویی در انرژی، نشان‌گر سازگاری با محیط‌زیست است. این تاسیسات یک سیستم تولید پیشرفته دارد که با استفاده از هوش مصنوعی، بهره‌وری را افزایش می‌دهد.»
چیپ فلش BiCS3 با ظرفیت 512Gb، ظرفیت دیوایس‌های مبتنی بر فلش نظیر گوشی‌های هوشمند، تبلت‌ها، SSDها، حافظه‌های USB و ... را افزایش می‌دهد. این تکنولوژی باعث می‌شود گوشی‌ها و تبلت‌ها، ظرفیتی معادل ظرفیت قبل را در چیپ‌های حافظه کوچک‌تر داشته باشند؛ این بدان معناست که سازندگان گوشی‌ها و تبلت‌ها، فضای بیشتری برای نصب باتری‌های بزرگ‌تر در دیوایس‌ها دارند. ظرفیت ذخیره‌سازی دیوایس‌ها نیز می‌تواند به دلیل ماهیت ذخیره‌سازی نندهای 3D افزایش یابد.