عضو هیات علمی پژوهشگاه مواد و انرژی از ساخت فیلم‌های نازک مغناطیسی چند لایه‌ای در مقیاس نانو در این پژوهشگاه خبر داد.
به گزارش سرویس علمی ایسنا، دکتر حاجی شیرین‌زاده با اعلام این خبر گفت: این فیلم‌ها می‌توانند به عنوان محیط های ذخیره اطلاعات به کار گرفته شوند، بدین صورت که اعمال میدان مغناطیسی با شدت کافی و با تمرکز بالا به هر نقطه فیلم، موجب چرخش حوزه‌های مغناطیسی در آن نقطه می‌شود و به دلیل وجود ناخالصی‌ها میدان مغناطیس حوزه‌ها دوباره به حالت اول باز نمی‌گردد.
وی افزود: مواد و وسایل زیادی نظیر دیسک‌های متحرک سخت رایانه‌ای، تراشه‌های حافظه‌ای غیر فرار، حسگرهای میدان مغناطیسی و عایق کننده‌های فوق‌العاده سریع بر پایه آثار مقاومت مغناطیسی عظیم ساخته شده است.
عضو هیات علمی پژوهشگاه مواد و انرژی اظهار کرد: اثر مقاومت عظیم (GMR) یکی از پدیده‌های جالب در عرصه خواص مغناطیسی لایه‌های نازک است که هم دارای پتانسیل کاربردی بالا و هم دارای مفاهیم عمیق فیزیکی است.
شیرین‌زاده با بیان این که در این پروژه بررسی الکتریکی نمونه‌ها به صورت جریان در صفحه و بررسی‌های مغناطیسی در حالت‌های میدان عمودی و موازی با سطح نمونه‌ها انجام شد، خاطرنشان کرد: نتایج حاصل نشان می‌دهد کاهش مقاومت الکتریکی در اثر اعمال میدان مغناطیسی از مشخصه‌های اصلی این حسگرهاست که نمونه‌های ساخته شده به وضوح این پدیده را نشان دادند و همچنین نمونه‌ها افت قابل توجهی را در مقاومت الکتریکی بر اثر تغییر ضخامت از خود نشان دادند.